BSS126 H6327
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Anschlüsse, Verbindungen
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Infineon Technologies BSS126 H6327
| Artikelnummer: | BSS126 H6327 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | BSS126 H6327 Infineon Technologies |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
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| Aktie: |
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Infineon Technologies BSS126 H6327 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments BSS126 H6327.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 1.6V @ 8µA Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse PG-SOT23-3 Serie SIPMOS® Rds On (Max) @ Id, Vgs 500 Ohm @ 16mA, 10V Verlustleistung (max) 500mW (Ta) Verpackung Tape & Reel (TR) Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 28pF @ 25V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.1nC @ 5V Typ FET N-Channel FET-Merkmal Depletion Mode Drain-Source-Spannung (Vdss) 600V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 21mA (Ta) BSS126 H6327 Einzelheiten PDF [English] BSS126 H6327 PDF - EN.pdf -
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